Транзистор HY5208,  - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220.

Технічні характеристики MOSFET-транзистора HY5208W

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Huayi Microelectronics (також маркується як HOOYI / HY)
• Технологічна база: Power MOSFET Technology (режим збагачення)
• Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга стік-витік Vdss: 80 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±25 В
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 360 А
• Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 240 А
• Піковий імпульсний струм стоку Idm: 1440 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 510 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 1.8...2.1 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 150 А
• Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 2.4 мОм
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Повний заряд затвора Qg: ~310 нКл при напрузі затвора 10 В
• Вхідна ємність Ciss: ~15400 пФ
• Час затримки ввімкнення tdon: ~42 нс
• Час затримки вимкнення tdoff: ~135 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 В при прямому струмі 150 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
• Час зворотного відновлення trr: ~82 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 360 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.29 °C/Вт

HY5208 Datasheet завантажити