Транзистор FGA15N120 підходить для заміни xns15n120t, igw15t120f, BT15T120, g15n120d, H15R1202, ihw15n120r2, 15n120hkd

ехнічні характеристики IGBT-транзистора FGA15N120

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
• Технологічна база: NPT Trench IGBT Technology
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-3P

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В
• Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 30 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 15 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 45 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 160 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 2.00 В при номінальному струмі 15 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.60 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.5...7.5 В при струмі колектора 15 мА
• Повний заряд затвора Qg: ~70 нКл
• Вхідна ємність Ciss: ~1410 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: ~170-220 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.70 В при прямому струмі 15 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.20 В
• Час зворотного відновлення діода trr: ~90-130 нс швидкий антипаралельний діод зворотного струму
• Максимальний прямий струм діода If: 15 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.78 °C/Вт

FGA15N120 Datasheet завантажити