Технічні характеристики IGBT-транзистора H30PR5

Загальні параметри:

• Виробники / Бренд: Infineon Technologies
• Технологічна база: TRENCHSTOP 5 Резонансна технологія серії R5
• Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із вбудованим монолітним діодом зворотного струму
• Виконання корпусу: TO-247

Електричні параметри Гранично допустимі значення:

• Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1350 В
• Максимальна напруга затвор-витік Vges: ±20 В (в імпульсних режимах до ±30 В)
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 60 А
• Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 30 А
• Піковий імпульсний струм колектора Icm: 90 А
• Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт

Статичні та динамічні характеристики транзистора:

• Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі 30 А та напрузі затвора 15 В
• Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.05 В
• Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.1...6.4 В
• Повний заряд затвора Qg: ~235 нКл при напрузі затвора 15 В
• Вхідна ємність Ciss: ~1800 пФ
• Час затримки вимкнення tdoff: ~220 нс

Параметри вбудованого захисного діода:

• Типова пряма напруга діода Vf: 1.65 В при прямому струмі 30 А
• Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.05 В
• Час зворотного відновлення діода trr: ~150-240 нс
• Максимальний прямий струм діода If: 60 А

Теплові параметри та експлуатація:

• Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C
• Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт

H30PR5 Datasheet завантажити