Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 2
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 3
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 4
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 5
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 6
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247, фото 7

Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247

185 ₴

164,65 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 526
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247
Транзистор IKW50N60T Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (K50T60, K50H603) TO247Готово к отправке
185 ₴164,65 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IGBT-транзистор IKW50N60T K50T60

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Infineon Technologies
  • Технологичная база: Trenchstop and Fieldstop Technology (Low Loss DuoPack)
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и встроенным сверхбыстрым антипараллельным диодом
  • Выполнение корпуса: TO-247 (PG-TO247-3)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 50А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 150А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 333 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Напряжение насыщения коллектор-эмитер Vce (sat) типичное: 1.5 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмитер Vce (sat) max: 2.0 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vge (th): 4.1...5.7 В
  • Полный заряд затвора Qg: 310 нКл
  • Входная емкость Ciss: 3140 пФ
  • Выходная емкость Coss: 200 пФ
  • Время нарастания тока типичных tr: 29 нс
  • Время снижения тока по умолчанию tf: 299 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.5 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If: 100 А (при 25°C) и 50А (при 100°C)
  • Максимальный импульсный ток диода Ifm: 150А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc (IGBT): 0.45 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc (Диод): 0.8 °C/Вт
  • Устойчивость к короткому замыканию: до 5 мкс (при Vge = 15 В, Vcc ≤ 400 В)

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокомощный коммутационный силовой ключ для частотных преобразователей и высоковольтных систем с низкими потерями энергии.
  • Совместимые устройства: Сварочные инверторы (MMA/TIG/MIG), мощные источники бесперебойного питания (ПОБЖ/UPS), индукционные плиты и нагреватели, частотные преобразователи для управления электродвигателями.
  • Системы управления: Мощные мостовые и полумостные высокочастотные схемы, системы жесткого переключения (Hard Switching), корректора коэффициента мощности (PFC).

 

IKW50N60T  Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга600
Максимальний струм100A
Максимальна напруга+600V
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 164,65 ₴