MOSFET-транзистор CS50N20

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huajing Microelectronics (CR Micro)
• Технологичная база: Planar VDMOS Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 50А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 31.5А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 200 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 250 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 0.042 Ом
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.051 Ом
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: 49.4 нКл
• Входная емкость Ciss: 2819 пФ
• Выходная емкость Coss: 358 пФ
• Время задержки отключения td(off): 62 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.4 В
• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 50А
• Время обратного восстановления диода trr: 162 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.5 °C/Вт
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя (EAS = 1700 мДж)

Область применения и использования:

• Основное назначение: Мощный высокоскоростной коммутационный ключ для низковольтных и средневольтных систем преобразования энергии.
• Совместимые устройства: Сварочные инверторы, автомобильные усилители звука, мощные источники бесперебойного питания (ДБЖ/UPS), DC/DC преобразователи и инверторы солнечных батарей.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные преобразователи напряжения, синхронные выпрямители, мостовые (H-bridge) и полумостные схемы управления электродвигателями

CS50N20 Datasheet скачать