Драйвер IR2113S SOIC-16

Технические характеристики микросхемы IR2113S

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier
• Функциональное назначение: Высоковольтный, высокоскоростной драйвер МОНП (MOSFET) и БТШЗ (IGBT) транзисторов с независимыми каналами управления верхним и нижним плечом
• Технологичная база: HVIC (High Voltage Integrated Circuit) устойчива к защелкам технология
• Выполнение корпуса: SOIC-16 (также маркуется как SOIC-16W / широкопрофильный поверхностный монтаж)

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение плавающего канала верхнего плеча Vb: 625 В
• Напряжение смещения плавающего канала верхнего плеча Vs: от Vb-25 В до Vb+0.3 В
• Диапазон напряжения питания низковольтной логической части Vcc: от -0.3 В до 25 В
• Диапазон напряжения питания цифровой логики Vdd: от -0.3 В до Vcc+0.3 В
• Максимальный выходной пиковый ток Io+ / Io-: +2.0 А (ток включения) / -2.0 А (ток отключения)

Эксплуатационные и динамические характеристики:

• Рекомендуемое напряжение смещения плавающего канала верхнего плеча Vs: до 600 В
• Рекомендуемый диапазон питания затворов Vcc: от 10 В до 20 В
• Рекомендуемый диапазон входной логики Vdd: от 3.3 В до 20 В (совместимость с CMOS, LSTTL и микроконтроллерами)
• Типичное время задержки включения ton: 120 нс
• Типичное время задержки отключения toff: 94 нс
• Максимальное отсутствие времени задержки между каналами MT: 10 нс
• Типичное время нарастания выходного импульса t: 25 нс при емкости нагрузки 1000 пФ
• Типичное время спада выходного импульса tf: 17 нс при емкости нагрузки 1000 пФ

Защитные и логические функции:

• Блокировка при снижении напряжения UVLO: Встроенная независимая защита от недостаточного напряжения питания (Under-Voltage Lockout) для каналов верхнего и нижнего плеча
• Вход отключения SD: Наличие отдельного цифрового вывода Shutdown для мгновенной блокировки обоих выходов
• Логика синхронизации: Входы управления верхним (HIN) и нижним (LIN) плечами работают в фазе с выходами (HO и LO)

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Рабочая температура окружающей среды Да: от -40 °C до +125 °C
• Допустима температура кристала Tj: до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-наклюшающая среда Rthja: 100 °C/Вт

Область применения и использования:

• Основное назначение: Драйвер управления затворами мощных N-канальных полевых транзисторов и IGBT моделей в мостовых (Full-Bridge) и полумостовых (Half-Bridge) топологиях силовых преобразователей.
• Совместимые устройства: Инверторы сварочных аппаратов, автомобильные преобразователи напряжения, источники бесперебойного питания (ДБЖ / UPS) и солнечные инверторы.
• Системы управления: Частотно-регулируемые приводы (VFD), ШИМ-контроллеры бесколлекторных двигателей (BLDC), импульсные блоки питания (SMPS) высокой мощности и медицинское силовое оборудование.