|
Технические характеристики MOSFET-транзистора MS5N100FT
Общие параметры:
- Производители / Бренд: Maspower
- Технологичная база: Advanced High Voltage Power MOSFET
- Структура транзистора: Мощный высоковольтный полевой N-канальный MOSFET
- Выполнение корпуса: TO-220 в документации также указывается как TO-220-3
Электрические параметры Предельно допустимые значения:
- Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±30 В
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 5 А
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 3 А
- Пиковый импульсный ток стока Idm: 20 А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 68 Вт (в отдельных ревизиях корпусных тестов до 198 Вт)
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.5 Ом при напряжении затвора 10В и токи 2.5А
- Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.2 Ом
- Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.25...3.75 В (общий диапазон до 4.5 В)
- Полный заряд затвора Qg: ~42 нКл при напряжении затвора 10 В
- Входная емкость Ciss: ~1250 пФ
- Выходная емкость Coss: ~106 пФ
Параметры встроенного защитного диода:
- Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.00 В при прямом токе 5 А
- Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.50 В
- Максимальный прямой ток диода If: 5 А
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -55°C до +150°C (в т.ч. высокотемпературные серии до +175°C)
- Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: ~0.63...0.86 °C/Вт (для изолированных версий до 4.2 °C/Вт)
|
