Транзистор SVG 086R0NT Оригинал!!! 120A, 80V, MOSFET, корпус TO-220 086R0NT

Общие параметры SVG 086R0NT 

• Производители / Бренд: Silan Microelectronics
• Технологичная база: LVMOS Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220 в технической документации также маркируется как TO-220-3L

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 120А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 76А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 156 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 5.0 мОм при напряжении затвора 10В и токи 50А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 6.0 мОм
• Полный заряд затвора Qg: ~66 нКл при напряжении затвора 10 В
• Заряд затвор-стек Qgd: ~17 нКл
• Одиночная передача энергии Eas: 306 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.40 В при прямом токе 50 А
• Время обратного восстановления trr: ~47 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 120А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.80 °C/Вт

SVG086R0NT  Datasheet скачать