Транзистор HY3208P Оригинал!!! 120A, 80V, MOSFET, корпус TO-220

Технические характеристики MOSFET-транзистора HY3208P

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Hooyi Semiconductor / Huayi Microelectronics
• Технологичная база: Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 140 А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 90А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 230 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 6.5 мОм при напряжении затвора 10В и токи 70А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 8.0 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~113 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~5125 пФ
• Время задержки включения tdon: ~19 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~70 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.88 В при прямом токе 75А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.30 В
• Время обратного восстановления trr: ~58 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 140 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.65 °C/Вт

HY3208P Datasheet скачать