Транзистор HYG025N06LS1P Оригинал!!! 190A 60V MOSFET TO-220 G025N06

Технические характеристики MOSFET-транзистора HYG025N06LS1P

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологичная база: Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220 в технической документации также маркируется как TO-220FB-3L

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 175А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 120А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 660 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 187 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.1 мОм при напряжении затвора 10 В и токе 75 А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 2.5 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 1.0...2.5 В
• Полный заряд затвора Qg: ~102 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~5540 пФ
• Время задержки включения tdon: ~18 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~74 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.85 В при прямом токе 75А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.30 В
• Время обратного восстановления trr: ~58 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 175А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.80 °C/Вт

HYG025N06LS1P Datasheet скачать