Транзистор IRFB4115 Оригинал!!! 104A, 150V, MOSFET TO-220

IRFB4115PBF - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Технические характеристики MOSFET-транзистора IRFB4115PBF

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier
• Технологичная база: HEXFET Power MOSFET
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 104А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 74А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 420 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 380 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 9.3 мОм при напряжении затвора 10 В и токе 62 А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 11.0 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 3.0...5.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~77 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~5170 пФ
• Время задержки включения tdon: ~18 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~43 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе 62А
• Время обратного восстановления trr: ~81 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 104А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.40 °C/Вт

IRFB4115PBF Datasheet скачать