Модель CMH20N50 — это мощный кремниевый высоковольтный полевой N-канальный MOSFET-транзистор от компании Cmos. Благодаря повышенной устойчивости к высоким энергиям импульсов в лавинном режиме (Avalanche Mode) и минимизированному сопротивлению открытого канала, он массово используется в источниках бесперебойного питания (UPS), DC/DC преобразователях, усилителях мощности и активных схемах коррекции коэффициента мощности (PFC).

Технические характеристики MOSFET-транзистора CMH20N50 

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Cmos
• Технологичная база: Advanced Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247 для классического выводного монтажа THT 

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 20 А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 11 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 60А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 280 Вт 

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 0.26 Ом при напряжении затвора 10 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~52 нКл
• Время нарастания импульса tr: ~88 нс
• Выходная емкость Coss: ~2500 пФ (в отдельных коммутационных режимах до 380 пФ

CMH20N50    Datasheet скачать