Транзистор HYG045N15NS1P Оригинал!!! 195A, 150V, MOSFET, корпус TO-220

HYG045N15NS1P - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Модель HYG045N15NS1P — это сверхмощный кремниевый полевой N-канальный MOSFET-транзистор нового поколения от компании Huayi Microelectronics (HY). Он построен на базе прогрессивной технологии SGT (Shielded Gate Trench), позволяющий достигать сверхнизкого сопротивления открытого канала и обеспечивать высокую устойчивость к большим токам в импульсных режимах (например, в мощных платах BMS электровелосипедов, электросамокатов и в контроллерах электродвигателей). 

Технические характеристики MOSFET-транзистора HYG045N15NS1P

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологичная база: Shielded Gate Trench Technology SGT
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220 (в официальных чертежах производителя маркуется как TO-220FB-3L)

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 205 А (в розничных базах часто указывается как 195 А)
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 145А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 715 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 428.5 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 4.5 мОм при напряжении затвора 10 В
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 5.6 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~94.6 нКл
• Время задержки включения tdon: ~20-30 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~75-95 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.85 В при прямом токе 20 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.30 В
• Время обратного восстановления trr: ~80-110 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 205А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.35 °C/Вт

HYG045N15NS1P Datasheet скачать