



Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220
66 ₴
59,40 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: 387
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
RU6199- мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.
Модель RU6199R — это сверхмощный кремниевый полевой N-канальный MOSFET-транзистор от компании Ruichips Semiconductor. Благодаря очень низкому сопротивлению открытого канала и способности работать с большими токами, он широко используется в автомобильной электронике, мощных инверторах питания, источниках бесперебойного питания (SMPS) и скоростных коммутационных схемах.
Технические характеристики MOSFET-транзистора RU6199R
Общие параметры:
- Производители / Бренд: Ruichips Semiconductor
- Технологичная база: Advanced Power MOSFET Technology
- Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
- Выполнение корпуса: TO-220
Электрические параметры Предельно допустимые значения:
- Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±25 В
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 200 А
- Постоянный ток стока Id ограничения корпуса TO-220: 75А
- Пиковый импульсный ток стока Idm: 800А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 380 Вт (в отдельных ревизиях документации производителя указывается 300 Вт)
Static и динамические характеристики транзистора:
- Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.8 мОм при напряжении затвора 10В и токи 40А
- Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 3.5...3.7 мОм
- Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
- Полный заряд затвора Qg: ~110-140 нКл
- Время задержки включения tdon: ~22 нс
- Время задержки отключения tdoff: ~75 нс
Параметры встроенного защитного диода:
- Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.80 В при прямом токе 40 А
- Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.30 В
- Время обратного восстановления trr: ~75 нс
- Максимальный прямой ток диода If: 200 А
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.45 °C/Вт
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимый ток коллектора | 200 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| КОРПУС | TO-220 |
| Максимальна напруга+ | 80V |
| Максимальний струм | 200A |
| Тип транзистора | MOSFET |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 59,40 ₴



