Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220, фото 2
Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220, фото 3
Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220, фото 4
Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220, фото 5

Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220

66 ₴

59,40 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 387
Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220
Транзистор RU6199R Оригинал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220Готово к отправке
66 ₴59,40 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

RU6199- мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Модель RU6199R — это сверхмощный кремниевый полевой N-канальный MOSFET-транзистор от компании Ruichips Semiconductor. Благодаря очень низкому сопротивлению открытого канала и способности работать с большими токами, он широко используется в автомобильной электронике, мощных инверторах питания, источниках бесперебойного питания (SMPS) и скоростных коммутационных схемах.

Технические характеристики MOSFET-транзистора RU6199R

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Ruichips Semiconductor
  • Технологичная база: Advanced Power MOSFET Technology
  • Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
  • Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 60 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±25 В
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 200 А
  • Постоянный ток стока Id ограничения корпуса TO-220: 75А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 800А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 380 Вт (в отдельных ревизиях документации производителя указывается 300 Вт)

Static и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.8 мОм при напряжении затвора 10В и токи 40А
  • Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 3.5...3.7 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~110-140 нКл
  • Время задержки включения tdon: ~22 нс
  • Время задержки отключения tdoff: ~75 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.80 В при прямом токе 40 А
  • Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.30 В
  • Время обратного восстановления trr: ~75 нс
  • Максимальный прямой ток диода If: 200 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.45 °C/Вт


RU6199R  Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Максимально допустимый ток коллектора200 А
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+80V
Максимальний струм200A
Тип транзистораMOSFET
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 59,40 ₴