Транзистор NCE60H15A, Оригинал!!! 150A, 60V, MOSFET корпус TO-220

 Транзистор NCE60H15A,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Технические характеристики MOSFET-транзистора NCE60H15A

Общие параметры:

• Производители / Бренд: NCE Power
• Технологичная база: Advanced Trench Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220 

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C: 150А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: ~480-600 А (в зависимости от продолжительности импульса на кристалле)
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 220 Вт 

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.1 мОм при напряжении затвора 10 В и токе 75 А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.0...4.5 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~130.8 нКл
• Время задержки включения tdon: ~15-25 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~70-95 нс 

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.20 В при прямом токе 75 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.40 В
• Время обратного восстановления trr: ~45-65 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 150А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.68 °C/Вт

NCE60H15A Datasheet скачать