Транзистор NCE60TD65BT, Оригинал! 60A/120A, 650V, TO-247

Модель NCE60TD65  — это высокоскоростной сильный кремниевый IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) нового поколения от компании NCE Power. Он построен на базе фирменной прогрессивной технологии Trench FS II (Trench Field Stop) 

Технические характеристики IGBT-транзистора NCE60TD65BT

Общие параметры:

• Производители / Бренд: NCE Power
• Технологичная база: Trench Field Stop II
• Конфигурация кристалла:  IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±30 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C: 120А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C: 60А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 319 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.60 В при номинальном токе 60 А и напряжении затвора 15 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Полный заряд затвора Qg: ~262 нКл
• Время задержки включения tdon: ~19 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~170 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 60А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 2.00 В
• Время обратного восстановления trr: ~186 нс
• Максимальный прямой ток диода If при 100°C: 60А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.47 °C/Вт