Транзистор CRSQ027N10NZ Оригинал!!! 240A, 100V, MOSFET, TO-247

CRSQ027N10NZ - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-247.

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: Advanced SkyMOS1 Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247 

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 273 А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 180А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C кремниевое ограничение: 177 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 720А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 454 Вт 

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.6 мОм при напряжении затвора 10 В
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 3.1 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~169 нКл
• Время задержки включения tdon: ~30-45 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~120-150 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.20 В при прямом токе 90 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.40 В
• Время обратного восстановления trr: ~101 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 180А 

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc:

CRSQ027N10NZ Datasheet скачать