Транзистор CS160N06A8 A8 Оригинал!!! 160A, 60V, MOSFET (160N06, CS160N06A8, CS160N06) TO-220

Общие параметры CS160N06A8:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: Advanced Trench Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Ic при температуре фланца 25°C: 160 А (кремниевое ограничение кристалла до 180 А)
• Постоянный ток стока Ic при температуре фланца 100°C: 104А (в отдельных ревизиях до 116 А)
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 720А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 245 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.4 мОм при напряжении затвора 10 В (максимальное значение до 3.2 мОм)
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~86.2 нКл
• Время задержки включения tdon: ~25-35 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~110-130 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.20 В при прямом токе 80 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.40 В
• Время обратного восстановления trr: ~65-85 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 160 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.51 °C/Вт

CS160N06 A8 Datasheet скачать