Транзистор CRG20T60A83L 
Оригинальный G20T60A83L

• Производитель / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: Trench Field Stop III
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока FRD
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C: 40А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C: 20 А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 60А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 140 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.66 В при токе 20 А и напряжении затвора 15 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.3...5.7 В
• Полный заряд затвора Qg: ~54 нКл
• Время задержки включения tdon: ~35.2 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~125.6 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 20А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В
• Время обратного восстановления trr: ~50-75 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 20 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.89 °C/Вт

CRG20T60A83L  Datasheet скачать