Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор STP80NF70 Оригинал!!! 98A 68V MOSFET TO-220, фото 2
Транзистор STP80NF70 Оригинал!!! 98A 68V MOSFET TO-220, фото 3
Транзистор STP80NF70 Оригинал!!! 98A 68V MOSFET TO-220, фото 4
Транзистор STP80NF70 Оригинал!!! 98A 68V MOSFET TO-220, фото 5

Транзистор STP80NF70 Оригинал!!! 98A 68V MOSFET TO-220

55 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 520
Транзистор STP80NF70 Оригинал!!! 98A 68V MOSFET TO-220
Транзистор STP80NF70 Оригинал!!! 98A 68V MOSFET TO-220Готово к отправке
55 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

STP80NF70 - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

MOSFET-транзистор STP80NF70

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: STMicroelectronics
  • Технологичная база: STripFET II Power MOSFET
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 68 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 98А
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 69 А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 392 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 190 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 8.2 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 9.8 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: 75 нКл
  • Входная емкость Ciss: 2550 пФ
  • Выходная емкость Coss: 550 пФ
  • Время нарастания тока tr: 60 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 98А
  • Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод с высокой устойчивостью к скорости нарастания напряжения dv/dt

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Контроль надежности: 100% Avalanche Tested

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой низковольтный коммутационный ключ высокой мощности для высокоэффективных импульсных каскадов преобразования энергии.
  • Совместимые устройства: Автомобильные инверторы и преобразователи напряжения 12/24В, источники бесперебойного питания, контроллеры легкого электротранспорта, зарядные устройства.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, схемы синхронного выпрямления тока, ШИМ-регуляторы скорости двигателей и каскады коммутации сильных токов.



STP80NF70 Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальний струм110A
Максимальна напруга+55V
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 55 ₴