Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор GK110N20S Оригинал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck, фото 2
Транзистор GK110N20S Оригинал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck, фото 3
Транзистор GK110N20S Оригинал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck, фото 4

Транзистор GK110N20S Оригинал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck

129 ₴

109,65 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 500
Транзистор GK110N20S Оригинал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S Hunteck
Транзистор GK110N20S Оригинал!!! 132A, 200V, MOSFET корпус TO-247 HGK110N20S HunteckГотово к отправке
129 ₴109,65 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор GK110N20S - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-247. HGK110N20S Hunteck

MOSFET-транзистор GK110N20S

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Goford Semiconductor
  • Технологичная база: Advanced Trench Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 200 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 110 А
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 70 А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 440А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 375 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 12 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 15 мОм (при Vgs = 10 В)
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~160 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~7200 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~680 пФ
  • Время задержки отключения td(off): ~85 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 110 А
  • Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.3 В
  • Время обратного восстановления диода trr: ~110 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.40 °C/Вт
  • Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой коммутационный ключ среднего напряжения с высокой перегрузочной способностью и низким сопротивлением канала для мощных каскадов преобразования.
  • Совместимые устройства: Промышленные источники бесперебойного питания, мощные солнечные инверторы, зарядные станции, тяжелый электротранспорт (электрокарры, погрузчики).
  • Системы управления: Высокочастотные DC-DC преобразователи, ШИМ-регуляторы скорости мощных двигателей постоянного тока, схемы синхронного выпрямления и телекоммуникационное оборудование.


GK110N20S  Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительToshiba
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Тип транзистораMOSFET
Максимальна напруга+80V
КОРПУСTO-3P, TO-247
Максимальний струм320A
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 109,65 ₴