Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор JT040N065WED Оригинал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247, фото 2
Транзистор JT040N065WED Оригинал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247, фото 3
Транзистор JT040N065WED Оригинал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247, фото 4
Транзистор JT040N065WED Оригинал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247, фото 5

Транзистор JT040N065WED Оригинал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247

110 ₴

99 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 522
Транзистор JT040N065WED Оригинал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247
Транзистор JT040N065WED Оригинал!!! 80A/40A 650V IGBT TO-247Готово к отправке
110 ₴99 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор JT040K065WED IGBT (замена для JT040K065AED)
650V /40A Trench Field Stop IGBT

IGBT-транзистор JT040K065WED

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Jilin Sino-Microelectronics (JSMC)
  • Технологичная база: Trench Field Stop Technology (Trench FS)
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 284 Вт (в некоторых спецификациях тепловая устойчивость корпуса до 340 Вт)

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.70 В (при Vge = 15 В, Ic = 40 А)
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.0 В
  • Характеристика переключения: Оптимизированная структура с низким зарядом затвора (Low gate charge) для скоростной коммутации и снижения динамических потерь

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 40А
  • Тип диода: Встроенный сверхбыстрый антипараллический диодный переход с мягким восстановлением

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55°C до +150°C (в новых модификациях кратковременно в пиках до +175°C)
  • Экологичность и безопасность: Продукт соответствует директиве бессвинцового исполнения RoHS

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой скоростной коммутационный ключ средней мощности для инверторных систем и импульсных устройств.
  • Совместимые устройства: Сварочные инверторы легкого и среднего класса, источники бесперебойного питания (ПОТ / UPS), преобразователи напряжения, инверторы общего назначения.
  • Системы управления: Высокочастотные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-инверторы частотно-регулируемых электроприводов.




JT040N065WED  Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 99 ₴