|
MOSFET-транзистор MS30N100HGCO
Общие параметры:
- Производители / Бренд: MASPOWER / HuanXin
- Технологичная база: High Voltage Power MOSFET
- Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
- Выполнение корпуса: TO-247
Электрические параметры (Игрально допустимые значения):
- Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
- Постоянный ток стока Id при 25°C: 30А
- Постоянный ток стока Id при 100°C: 32.3 А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 290 Вт
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 280 мОм
- Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 390 мОм
- Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 3.3...4.5 В
- Полный заряд затвора Qg: 96 нКл
- Входная емкость Ciss: 4690 пФ
- Выходная емкость Coss: 421 пФ
Параметры встроенного защитного диода:
- Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 30А
- Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +150 °C
- Эффективность охлаждения: Корпус оптимизирован под монтаж на большие радиаторы силовых устройств
Область применения и использования:
- Основное назначение: Высоковольтный скоростной силовой переключатель для сетевых инверторных систем, работающих с большими напряжением.
- Совместимые устройства: Промышленные источники бесперебойного питания, мощные солнечные инверторы, высоковольтные импульсные блоки питания, сварочное оборудование.
- Системы управления: Высокочастотные преобразователи энергии, ШИМ-регуляторы мощности и мостовые топологии коммутации нагрузки.
|
