Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор IRFP4668PBF, Оригинал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247, фото 2
Транзистор IRFP4668PBF, Оригинал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247, фото 3
Транзистор IRFP4668PBF, Оригинал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247, фото 4

Транзистор IRFP4668PBF, Оригинал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247

125 ₴

  • Нет в наличии
  • Код: 504
Транзистор IRFP4668PBF, Оригинал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247
Транзистор IRFP4668PBF, Оригинал!!! 130A, 200V, MOSFET корпус TO-247Нет в наличии
125 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно

MOSFET-транзистор IRFP4668PBF

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: International Rectifier (Infineon Technologies)
  • Технологичная база: HEXFET Power MOSFET
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247AC

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 200 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 130 А (ограничение выводов корпуса; ток кремниевого кристалла достигает 172 А)
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 121А (номинал кристалла)
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 520 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 517 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 8.0 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 9.7 мОм (при Vgs = 10 В)
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 3.0...5.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: 161 нКл (максимальный до 241 нКл)
  • Входная емкость Ciss: 10100 пФ
  • Выходная емкость Coss: 1050 пФ
  • Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 183 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 130А
  • Максимальный импульсный ток диода Ism: 520 А
  • Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.3 В
  • Время обратного восстановления диода trr: 125 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.29 °C/Вт
  • Контроль надежности: 100% Avalanche Tested и высокая скорость нарастания напряжения dV/dt от производителя

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокотоковый высокоэффективный коммутационный ключ среднего напряжения для систем с жесткими и тяжелыми режимами работы силовых каскадов.
  • Совместимые устройства: Мощные промышленные и автомобильные инверторы напряжения, источники бесперебойного питания, зарядные станции, солнечные преобразователи, телекоммуникационное оборудование.
  • Системы управления: Высокочастотные DC-DC преобразователи, схемы синхронного выпрямления высокой мощности, ШИМ-регуляторы тяжелых промышленных двигателей постоянного тока.



IRFP4668PBF  Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-3P, TO-220
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V, 200V
Максимальний струм140A
Тип транзистораMOSFET
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 125 ₴