Транзистор CRST030N10N Оригинал!!! 180A, 100V, MOSFET (Замена HY3810, IRFB4110) корпус TO-220

CRST030N10N- мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220. 
Замена HY3810, IRFB4110)

MOSFET-транзистор CRST030N10N

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: SkyMOS1 N-MOSFET Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 180А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 131А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 720А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 227 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 2.5 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: 169 нКл
• Входная емкость Ciss: 6920 пФ
• Выходная емкость Coss: 1446 пФ
• Время нарастания тока tr: 111 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 90А
• Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Контроль надежности: Соответствие отраслевым стандартам сертификации для целевых силовых применений

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высокоточный коммутационный ключ низкого и среднего напряжения со сверхнизким сопротивлением открытого канала.
• Совместимые устройства: Мощные сетевые и автомобильные инверторы, солнечные преобразователи, источники бесперебойного питания, зарядные станции.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, схемы синхронного выпрямления тока, ШИМ-регуляторы скорости двигателей и платы защиты мощных литиевых аккумуляторных батарей.

CRST030N10N Datasheet скачать