Транзистор оригинальный G40T60AK3HD. CRG40T60AK3HD
(замена G40T60AN3H )

IGBT-транзистор G40T60AK3HD

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: Advanced Trench Field Stop IGBT Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
• Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 336 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В – 1.90 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Полный заряд затвора Qg: 239 нКл
• Входная емкость Ciss: оптимизирована для высокочастотных инверторных схем
• Выходная емкость Coss: 141 пФ
• Время нарастания тока ton: 56 нс
• Время снижения тока tof: 178 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода If: 80А
• Пиковый импульсный ток диода IFm: 120А
• Время обратного восстановления диода trr: 48 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Особенности монтажа: Рекомендовано использование радиатора с термопастой для стабильного отвода тепла

Область применения и использования:

• Основное назначение: Силовой скоростной коммутационный ключ средней мощности для высокочастотных инверторных архитектуре.
• Совместимые устройства: Современные инверторные сварочные аппараты, солнечные и фотоэлектрические инверторы, источники бесперебойного питания.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, active PFC схемы коррекции коэффициента мощности и ШИМ-контроллеры электроприводов.

G40T60AK3HD Datasheet скачать