MOSFET-транзистор HYG032N08NS1P

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huayi Microelectronics (HUAYI)
• Технологичная база: Power MOSFET Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220 (стандартный выводной трехконтактный корпус с открытым металлическим фланцем)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 120 А (номинальное ограничение выводов корпуса; реальный максимальный ток кремниевого кристалла составляет 190А)
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 120 А (номинал кристалла при данной температуре — 135А)
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 680 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 220 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 2.7 мОм
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 3.2 мОм (при напряжении на затворе Vgs = 10 В)
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~132 нКл
• Входная емкость Ciss: ~7450 пФ
• Выходная емкость Coss: ~910 пФ
• Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 480 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 120А
• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.3 В
• Тип интегрированного диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.68 °C/Вт
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested и UIS Tested от производителя

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высокоточный коммутационный ключ низкого и среднего напряжения с ультранизким сопротивлением открытого канала для сильно нагруженных каскадов.
• Совместимые устройства: Мощные сетевые и автомобильные инверторы напряжения 12/24/48В, современные источники бесперебойного питания, контроллеры электротранспорта, зарядные устройства.
• Системы управления: Высокоточные ШИМ-регуляторы скорости двигателей постоянного тока, платы защиты и балансировки литиевых аккумуляторных батарей (BMS) большой емкости, схемы синхронного выпрямления.

HYG032N08N Datasheet скачать