Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина

Транзистор SH1004B, Оригинал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO-220

56 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Нет в наличии
  • Код: 512
Транзистор SH1004B, Оригинал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO-220
Транзистор SH1004B, Оригинал!!! 134A, 100V, MOSFET корпус TO-220Нет в наличии
56 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно

 Транзистор SH1004B,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

MOSFET-транзистор SH1004B (JMSH1004BC)

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: JieJie Microelectronics (JMS)
  • Технологичная база: Power MOSFET Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 134А – 139 А (в зависимости от спецификаций кремниевого кристалла конкретной серии)
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 82А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 464А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 125 Вт – 156 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 3.3 мОм – 3.7 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 4.2 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th) типичное: 2.7 В (диапазон 2.0...4.0 В)
  • Полный заряд затвора Qg: 57 нКл
  • Входная емкость Ciss: 3433 пФ
  • Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 231 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 134 А
  • Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловые свойства: Корпус обеспечивает стабильную передачу тепла на радиатор при значительных коммутационных перегрузках

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокомощный коммутационный ключ низкого и среднего напряжения для высоконагруженных каскадов с жесткими режимами работы.
  • Совместимые устройства: Автомобильные и бытовые инверторы напряжения 12/24/48В, современные источники бесперебойного питания, зарядные станции, контроллеры электротранспорта.
  • Системы управления: Высокочастотные блоки питания, схемы активного синхронного выпрямления тока, ШИМ-регуляторы мощности тяжелых двигателей постоянного тока и платы защиты аккумуляторов.



SH1004B Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+150V
Максимальний струм140A
Тип транзистораMOSFET
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 56 ₴