MOSFET-транзистор JCS11N90WT

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Jilin Sino-Microelectronics (JILIN SINO)
• Технологичная база: High Voltage Power MOSFET
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 900 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 11 А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 7 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 44А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 240 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 0.95 Ом
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 1.15 Ом (при Vgs = 10 В)
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: 66 нКл
• Входная емкость Ciss: 2950 пФ
• Выходная емкость Coss: 230 пФ
• Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 750 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 11 А
• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.5 В
• Время обратного восстановления диода trr: 550 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.52 °C/Вт
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высоковольтный силовой коммутационный ключ для сетевых устройств с повышенными требованиями к напряжению пробой.
• Совместимые устройства: Промышленные блоки питания, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ПОБ / UPS), светодиодные драйверы высокой мощности.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные преобразователи напряжения (SMPS), DC-DC преобразователи, схемы активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и каскады электронных балластов.

JCS11N90WT Datasheet скачать