Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор G40T65AN5H Оригинал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (замена G40T60AN3H, G40T65AK5HD), фото 2
Транзистор G40T65AN5H Оригинал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (замена G40T60AN3H, G40T65AK5HD), фото 3

Транзистор G40T65AN5H Оригинал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (замена G40T60AN3H, G40T65AK5HD)

115 ₴

79,35 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 506
Транзистор G40T65AN5H Оригинал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (замена G40T60AN3H, G40T65AK5HD)
Транзистор G40T65AN5H Оригинал! 80A/40A, 650V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P (замена G40T60AN3H, G40T65AK5HD)Готово к отправке
115 ₴79,35 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор оригинальный G40T65AN5H . CRG40T65AN5H
Замена G40T60AN3H, G40T65AK5HD

IGBT-транзистор G40T65AN5H

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: CRMicro
  • Технологичная база: Advanced Trench Field Stop Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (импульсная кратковременная устойчивость к ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 268 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.70 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.15 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~102 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~2410 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~82 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~95 нс
  • Характеристика переключения: Скоростная серия с оптимизированными динамическими потерями и минимальным остатками «хвостового» тока

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.65 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 40А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~52 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.56 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.12 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Скоростной силовой коммутационный ключ средней мощности для высокоэффективного преобразования энергии в повышенных частотах ШИМ.
  • Совместимые устройства: Инверторные сварочные аппараты, бытовые и промышленные источники бесперебойного питания, солнечные инверторы.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности и инверторные приводы частотно регулируемых двигателей.


 

G40T65AN5H Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-3P
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм80A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 79,35 ₴
  • Способ упаковки: картон