IGBT-транзистор XNP40N60TH

Общие параметры:

• Производители / Бренд: XINER
• Технологичная база: Trench Field Stop IGBT Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
• Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
• Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.8 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
• Полный заряд затвора Qg: 115 нКл
• Входная емкость Ciss: 2100 пФ
• Характеристика переключения: Оптимизированная скоростная серия с низкими потерями на переключение и высокой устойчивостью к жестким режимам коммутации

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 40А
• Тип диода: Встроенный скоростной защитный антипараллический диод

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Рабочий температурный диапазон перехода: от -40 °C до +175 °C
• Эффективность охлаждения: Корпус обеспечивает надежный отвод тепла при непосредственном монтаже на силовой радиатор

Область применения и использования:

• Основное назначение: Скоростной силовой коммутационный ключ средней мощности для инверторных и преобразоваемых топологий.
• Совместимые устройства: Сварочные инверторы, солнечные и фотоэлектрические преобразователи, источники бесперебойного питания, бытовая техника с частотной регулировкой.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности и ШИМ контроллера электроприводов.

XNP40N60TH   Datasheet скачать