Транзистор K50EF5, IKW50N65H5 K50EH5, IKW50N65H5, IKW50N65F5  IGBT (50N65, 50n60) Infineon 650V /50A Trench Field Stop IGBT

Технические характеристики IGBT-транзистора K50EF5

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Infineon Technologies заводская маркировка модели IKW50N65F5
• Технологичная база: TRENCHSTOP 5 High Speed Switching F5 Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока RAPID 1
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В в импульсных режимах до ±30 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 150А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 270 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.60 В при номинальном токе 50 А и напряжении затвора 15 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 1.95 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В при токе коллектора 0.5 мА
• Полный заряд затвора Qg: ~108 нКл
• Входная емкость Ciss: ~2900 пФ
• Время задержки отключения tdoff: ~160 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 50А
• Время обратного восстановления диода trr: ~80-95 нс быстрый антипараллический диод с мягким восстановлением
• Максимальный прямой ток диода If: 50А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.55 °C/Вт

K50EF5  Datasheet скачать