Транзистор NCEP02T10T   - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-247.

Технические характеристики MOSFET-транзистора NCEP02T10T

Общие параметры:

• Производители / Бренд: NCE Power
• Технологичная база: Super Trench Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 100А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 70.7 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 400А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 300 Вт
• Энергия одиночной лавинной пробой Eas: ~1216 мДж

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 9.5 мОм при напряжении затвора 10В и токи 50А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 11.0...12.0 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В при струмі 250 мкА
• Полный заряд затвора Qg: ~63.2 нКл при напряжении затвора 10В
• Входная емкость Ciss: ~6000 пФ при напряжении утечка 100 В
• Выходная емкость Coss: ~545 пФ
• Заряд затвор-стек Qgd: ~16.4 нКл

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.85...0.95 В при прямом токе 50 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.20...1.40 В
• Время обратного восстановления trr: ~120-165 нс скоростной интегрированный диод обратного тока
• Максимальный постоянный прямой ток диода If: 100А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.50 °C/Вт

NCEP02T10T Datasheet скачать