Транзистор SPW47N60C3 Оригинал!!! 47A/30A, 650V, MOSFET, TO-247 47N60C3

Технические характеристики MOSFET-транзистора SPW47N60C3

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Infineon Technologies
• Технологичная база: CoolMOS C3 Power Transistor
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 47А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 30А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 141А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 415 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 60 мОм при напряжении затвора 10В и токи 30А
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.1...3.9 В
• Полный заряд затвора Qg: ~252 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~6800 пФ при напряжении 25 В
• Время задержки включения tdon: ~18 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~111 нс
• Максимальная одиночная передача энергии Eas: 1800 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.95 В при прямом токе 47А и напряжении затвора 0 В
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.20 В
• Время обратного восстановления trr: ~900 нс
• Максимальный постоянный прямой ток диода If: 47А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.30 °C/Вт