Транзистор SRT10N047H Оригинал!!! 120A/85A, 100V, MOSFET корпус TO-263-2 заміна G10N054Dm

 Транзистор SRT10N047H ,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-263-2
замена G10N054Dm

Технические характеристики MOSFET-транзистора SRT10N047H 

Общие параметры:

• Производители / Бренд: SemiRes / совместимые бренды силовиков серии SRT
• Технологичная база: Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220 / TO-263-2 

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C максимальный: 120А
• Постоянный ток стока Id номинальный эксплуатационный: 85 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 104 Вт 

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 4.5...4.7 мОм при напряжении затвора 10 В
• Полный заряд затвора Qg: ~80 нКл
• Входная емкость Ciss: ~4200 пФ 

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.20 В
• Максимальный прямой ток диода If: 120А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55°C до +175°

SRT10N047H Datasheet скачать