Технические характеристики IGBT-транзистора G50T65AK5SD

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: Trench Field Stop Technology FS
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±30 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 20°C / 25°C максимальный: 60А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 150...200 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 268 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.40 В при номинальном токе 50 А и напряжении затвора 15 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 1.90...2.10 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...7.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~86 нКл
• Входная емкость Ciss: ~3050 пФ
• Выходная емкость Coss: ~115...180 пФ
• Время нарастания импульса tr: ~72 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45...1.65 В при прямом токе 50А
• Максимальный прямой ток диода If: 50А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: ~0.56 °C/Вт

G50T65AK5SD  Datasheet скачать