Транзистор NCEP026N10, Оригинал!!! 200A/142A, 100V, MOSFET корпус TO-220

 Транзистор NCEP026N10,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Технические характеристики MOSFET-транзистора NCEP026N10

Общие параметры:

• Производители / Бренд: NCE Power
• Технологичная база: Super Trench Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 260 А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 180А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 183 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 1040 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 375 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.2 мОм при напряжении затвора 10В и токи 130А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 2.6 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~168 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~10900 пФ
• Выходная емкость Coss: ~745 пФ
• Время задержки включения tdon: ~30 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~125 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.88 В при прямом токе 130 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.20 В
• Время обратного восстановления trr: ~108 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 260 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.40 °C/Вт

NCEP026N10 Datasheet скачать