Транзистор NCE65TF099T Оригинал!!! 38A/24A, 650V, MOSFET, TO-247 (KEA 30N50A)

NCE65TF099T - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-247. KEA 30N50A)

Технические характеристики MOSFET-транзистора NCE65TF099T 

Общие параметры:

• Производители / Бренд: NCE Power
• Технологичная база: Advanced Trench Gate Super Junction Power MOSFET III
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 38 А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 24А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 152А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 322 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 89...99 мОм при напряжении затвора 10В и токи 19А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 109 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 3.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~45-56 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~2800 пФ
• Выходная емкость Coss: ~97 пФ

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.90 В при прямом токе 19 А
• Время обратного восстановления trr: ~110-390 нс (аптайм оптимизирован для высокой скорости коммутации)
• Максимальный прямой ток диода If: 38 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55°C до +150°C (в отдельных ревизиях тестов до +175°C)
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.39 °C/Вт

NCE65TF099T  Datasheet скачать