Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 2
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 3
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 4
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 5
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247, фото 6

Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247

125 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 492
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247
Транзистор CRG25T120AK3SD Оригинал!!! 50A/25A, 1200V, IGBT, TO-247Готово к отправке
125 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IGBT-транзистор CRG25T120AK3SD

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: CRM Microelectronics / CR Micro
  • Технологичная база: Advanced Trench Field Stop Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1200 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (импульсная кратковременная устойчивость к ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 50А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 25А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 100А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 227 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 5.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~95 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~1750 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~68 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~120 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.95 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 25А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~160 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.66 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.15 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высоковольтный силовой переключатель средней мощности, оптимизированный для высоких частот коммутации и минимальных динамических потерь.
  • Совместимые устройства: Сварочные инверторы, трехфазные солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ДБП), мощные индукционные обогреватели (например, индукционные плиты и квадрезонансные системы).
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-инверторы приводов электродвигателей.


CRG25T120AK3SD Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительIXUS
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+1200V
Максимальний струм50A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 125 ₴