Транзистор NCEP85T16 Оригинал!!! 160A/112A, 85V, MOSFET корпус TO-220

Технические характеристики MOSFET-транзистора NCEP85T16

Общие параметры:

• Производители / Бренд: NCE Power
• Технологичная база: Advanced Super Trench Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220 (в отдельных спецификациях TO-220-3L)

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 85 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 160 А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 113А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 640А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 210 Вт
• Энергия одиночной лавинной пробой Eas: ~800 мДж

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.6 мОм при напряжении затвора 10В и токи 80А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.2 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В при струмі 250 мкА
• Полный заряд затвора Qg: ~102 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~6320 пФ при напряжении утечка 42 В
• Выходная емкость Coss: ~570 пФ
• Время задержки включения tdon: ~25 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~78 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.88 В при прямом токе 80 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.20 В
• Время обратного восстановления trr: ~75 нс скоростной интегрированный диод обратного тока
• Максимальный постоянный прямой ток диода If: 160 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.71 °C/Вт

NCEP85T16 Datasheet скачать