Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор DXG75N65HS Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена DXG75N65HSE) TO-247, фото 2
Транзистор DXG75N65HS Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена DXG75N65HSE) TO-247, фото 3
Транзистор DXG75N65HS Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена DXG75N65HSE) TO-247, фото 4

Транзистор DXG75N65HS Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена DXG75N65HSE) TO-247

165 ₴

138,60 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 483
Транзистор DXG75N65HS Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена DXG75N65HSE) TO-247
Транзистор DXG75N65HS Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена DXG75N65HSE) TO-247Готово к отправке
165 ₴138,60 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор DXG75N65HS IGBT 

IGBT-транзистор DXG75N65HS

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Dongxin Semi (Dongxin Microelectronics)
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 150А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 75А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 225А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 385 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.25 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~145 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~3500 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~150 пФ
  • Характеристика переключения: Оптимизированная скоростная серия High Speed с пониженными динамическими потерями и низким «хвостовым» током

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.80 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 35А
  • Тип диода: Встроенный сверхбыстрый FRD диод с мягким восстановлением

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.39 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 0.78 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Мощный скоростной силовой переключатель для инверторных систем с жесткими и мягкими топологиями коммутации.
  • Совместимые устройства: Мощные инверторные сварочные аппараты, промышленные источники бесперебойного питания (ДБЖ / UPS), солнечные преобразователи и зарядные станции.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные модули коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-инверторы электроприводов.



DXG75N65HS  Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
Тип транзистораIGBT
КОРПУСTO-247
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 138,60 ₴