Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор KGF75N65KDF Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247, фото 2
Транзистор KGF75N65KDF Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247, фото 3
Транзистор KGF75N65KDF Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247, фото 4

Транзистор KGF75N65KDF Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247

155 ₴

  • Нет в наличии
  • Код: 482
Транзистор KGF75N65KDF Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247
Транзистор KGF75N65KDF Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT (замена KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF) TO-247Нет в наличии
155 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно

Транзистор KGF75N65KDF IGBT (замена для KGF60N65KDF, KGF50N65KDF, 60N65KDF, 50N65KDF, 75N65KDF)

IGBT-транзистор KGF75N65KDF

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: KEC
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 100А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 75А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 225А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 484 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.77 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.20 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.2...6.4 В
  • Полный заряд затвора Qg: 128 нКл
  • Задержка включения td(on) / Время нарастания tr: 63 нс / 115 нс
  • Задержка отключения td(off) / Время спада tf: 177 нс / 90 нс
  • Суммарные коммутационные потери Ets: 5.7 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 25°C: 75А
  • Пиковый импульсный ток диода Ifm: 225А
  • Типичное прямое напряжение диода Vf: устанавливается в зависимости от номинального тока

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.31 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.0 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой высокотоковый коммутационный ключ для цепей преобразования энергии.
  • Совместимые устройства: Инверторные сварочные аппараты, солнечные инверторы, промышленные источники бесперебойного питания, инверторы микроволновых печей.
  • Системы управления: Схемы активной коррекции коэффициента мощности, импульсные блоки питания, ШИМ-контроллеры и общие промышленные преобразователи частоты.




KGF75N65KDF  Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
Тип транзистораIGBT
КОРПУСTO-247
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 155 ₴