Оригинальный.
Новый. Транзистор OSG65R130HT3Z  Оригинальный! (замена kbr KEA20N50, FQA24N50, SPW24N60CFD, 24N60 CFD 24N60C3 25N60) TO-247

MOSFET-транзистор OSG65R130HT3Z (в корпусе TO-247)

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Oriental Semiconductor
• Технологичная база: GreenMOS3 Super Junction Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным быстрым диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247 (классический трехвыводящий силовой корпус для поверхностного или сквозного монтажа на радиатор, полная заводская маркировка серии - OSG65R130HT3ZF)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 650 В (до 700 В при максимальному нагріванні кристала)
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 25 А (номинал для версии корпуса TO-247)
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 138 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 240 Вт (благодаря массивному флашку корпуса TO-247)
• Максимальная скорость нарастания напряжения dv/dt: 100 В/нс

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 100 мОм
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 130 мОм (при Vgs = 10 В)
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 3.0...5.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~45 нКл
• Входная емкость Ciss: 2451 пФ
• Выходная емкость Coss: 114 пФ
• Время задержки отключения td(off): 65.8 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 25А
• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.4 В
• Тип интегрированного диода: Встроенный скоростной диод (FRD) для минимизации времени обратного восстановления при работе в резонансных топологиях

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 600 мДж
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested и 100% защита от пробоя затвора от производителя

Область применения и использования:

• Основное назначение: Силовой высокоскоростной коммутационный ключ в мощном корпусе (служит отличной функциональной заменой для транзисторов типа KEA20N50, FQA24N50C, SPW24N60CFD и 24N60 C3).
• Совместимые устройства: Серверные блоки питания, солнечные и фотоэлектрические инверторы, зарядные станции, источники бесперебойного питания, сварочные каскады.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания (SMPS), активные каскады коррекции коэффициента мощности (PFC Boost stage), мостовые резонансные топологии преобразования энергии (LLC / Full-Bridge).

OSG65R130HT3Z Datasheet скачать