Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор YGW75N65FP Оригинал (замена для YGW75N65F1,KGF75N65KDF) 75A/150A, 650V TO-247, фото 2
Транзистор YGW75N65FP Оригинал (замена для YGW75N65F1,KGF75N65KDF) 75A/150A, 650V TO-247, фото 3

Транзистор YGW75N65FP Оригинал (замена для YGW75N65F1,KGF75N65KDF) 75A/150A, 650V TO-247

185 ₴

159,10 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 478
Транзистор YGW75N65FP Оригинал (замена для YGW75N65F1,KGF75N65KDF) 75A/150A, 650V TO-247
Транзистор YGW75N65FP Оригинал (замена для YGW75N65F1,KGF75N65KDF) 75A/150A, 650V TO-247Готово к отправке
185 ₴159,10 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор YGW75N65FP IGBT (замена для YGW75N65F1, KGF75N65KDF)
650V /75A Trench Field Stop IGBT

IGBT-транзистор YGW75N65FP

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Luxinsemi
  • Технологичная база: Trench Field Stop Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 150А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 75А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 225А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 385 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.75 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.20 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 5.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: 145 нКл
  • Входная емкость Ciss: 3650 пФ
  • Выходная емкость Coss: 160 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: 105 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.80 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 75А
  • Время обратного восстановления диода trr: 72 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.39 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 0.65 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокомощный скоростной силовой коммутационный ключ, оптимизированный для минимизации потерь на проводимость и динамическое переключение.
  • Совместимые устройства: Мощные промышленные и бытовые сварочные инверторы, солнечные фотоэлектрические инверторы, трехфазные источники бесперебойного питания.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные схемы большой мощности, активные модули коррекции коэффициента мощности и инверторные приводы частотно-регулируемых двигателей.



YGW75N65FP  Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
КОРПУСTO-247
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 159,10 ₴