Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор  FHA60T65 Оригинал!!!  60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247, фото 2
Транзистор  FHA60T65 Оригинал!!!  60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247, фото 3
Транзистор  FHA60T65 Оригинал!!!  60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247, фото 4
Транзистор  FHA60T65 Оригинал!!!  60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247, фото 5
Транзистор  FHA60T65 Оригинал!!!  60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247, фото 6
Транзистор  FHA60T65 Оригинал!!!  60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247, фото 7

Транзистор FHA60T65 Оригинал!!! 60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247

125 ₴

106,25 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 476
Транзистор  FHA60T65 Оригинал!!!  60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247
Транзистор FHA60T65 Оригинал!!! 60A/100A , 650V (замена 60T65PES) TO247Готово к отправке
125 ₴106,25 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор FHA60T65 IGBT 

IGBT-транзистор FHA60T65 (FHA60T65A)

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Fanhua Semiconductor / FH Power
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (коротковременно в импульсе до ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 120А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 60А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 337 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~130 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~2900 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~125 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~95 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.75 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 30А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~70 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.44 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.05 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой высокоскоростной коммутационный ключ средней и высокой мощности, оптимизированный для инверторных систем с жестким переключением.
  • Совместимые устройства: Сварочные инверторы (MMA/TIG/MIG), источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, портативные генераторы.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные преобразователи напряжения, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-регуляторы управления мощными электроприводами.



FHA60T65  Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительMagnachip Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм100A
КОРПУСTO-247
Информация для заказа
  • Цена: 106,25 ₴