Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!!  120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 2
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!!  120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 3
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!!  120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 4
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!!  120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 5
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!!  120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220, фото 6

Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220

50 ₴

29 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 471
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!!  120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220
Транзистор HY1906, HY1906P, HY1906B Оригинал!!! 120A, 60V MOSFET (Замена IRF3205 HRF3205 HUF75344P3) TO-220Готово к отправке
50 ₴29 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

HY1906- мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.
Замена для BUZ111S HRF3205 HUF75344P3 STP80NF55-06  HY1906, HY1906P IRF3205 

MOSFET-транзистор HY1906P

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Hooyi Semiconductor
  • Технологичная база: Stripe Cellular Design Power MOSFET
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 60 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±25 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 120 А (номинальное ограничение корпуса; ток кристалла до 160 А)
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 90А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 200 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 3.5 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 4.5 мОм (при Vgs = 10 В)
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: 105 нКл
  • Входная емкость Ciss: 5100 пФ
  • Выходная емкость Coss: 720 пФ
  • Время задержки отключения td(off): 60 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.3 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 120А
  • Время обратного восстановления диода trr: 58 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.75 °C/Вт
  • Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой коммутационный ключ высокой мощности с сверхнизким сопротивлением открытого канала для низковольтных цепей с большими токами.
  • Совместимые устройства: Мощные инверторы напряжения 12/24В, источники бесперебойного питания, контроллеры электротранспорта, солнечные контроллеры заряда.
  • Системы управления: Высокоточные ШИМ-регуляторы скорости двигателей, платы защиты и балансировки литиевых аккумуляторных батарей (BMS), схемы синхронного выпрямления.


HY1906 Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+60V
Максимальний струм120A
Тип транзистораMOSFET
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 29 ₴