Транзистор IGBT G15T60A83L, CRG15T60A83L, 15T60A83L, G15T60A83L, CRG15T60A93L, G15T60A93L, G15T60, IGP15N60T

IGBT-транзистор G15T60A83L

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Goford Semiconductor
• Технологичная база: Advanced Trench Field Stop Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220F

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 30А
• Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 15 А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 45 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 31 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.60 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
• Полный заряд затвора Qg: 35 нКл
• Входная емкость Ciss: 840 пФ
• Время задержки отключения tdoff: 68 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.55 В
• Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 15 А
• Время обратного восстановления диода trr: 45 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 4.0 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 5.0 °C/Вт

Область применения и использования:

• Основное назначение: Маломощные и среднемощные инверторные схемы, требующие высокой частоты переключения.
• Совместимые устройства: Бытовые индукционные плиты, маломощные источники бесперебойного питания, сварочные аппараты легкого класса.
• Системы управления: Корректоры коэффициента мощности, блоки питания с ШИМ управлением, драйверы двигателей бытовой техники.

G15T60A83L Datasheet скачать