Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор NCE60TD60BT, Оригинал! 60A/120A, 600V IGBT NCE60TD60BP TO-247, фото 2
Транзистор NCE60TD60BT, Оригинал! 60A/120A, 600V IGBT NCE60TD60BP TO-247, фото 3
Транзистор NCE60TD60BT, Оригинал! 60A/120A, 600V IGBT NCE60TD60BP TO-247, фото 4

Транзистор NCE60TD60BT, Оригинал! 60A/120A, 600V IGBT NCE60TD60BP TO-247

125 ₴

107,50 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 467
Транзистор NCE60TD60BT, Оригинал! 60A/120A, 600V IGBT NCE60TD60BP TO-247
Транзистор NCE60TD60BT, Оригинал! 60A/120A, 600V IGBT NCE60TD60BP TO-247Готово к отправке
125 ₴107,50 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

 NCE60TD60BT Оригинал. NCE60TD60BP  IGBT 

IGBT-транзистор NCE60TD60BT

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
  • Технологичная база: Trench Field Stop II Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±30 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 120А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 60А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 319 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.70 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 1.90 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.0 В
  • Ток утечки коллектор-эмитер Ices: 5 мкА
  • Допустимое время короткого замыкания tsc: 5 мкс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.70 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 60А
  • Пиковый импульсный ток диода Ifm: 240А
  • Время обратного восстановления диода trr: 186 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.47 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.72 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой высокоскоростной коммутационный ключ для мощных инверторных систем с жесткими и мягкими топологиями коммутации.
  • Совместимые устройства: Промышленные и бытовые сварочные инверторы, мощные солнечные инверторы, системы кондиционирования воздуха и источники бесперебойного питания.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные модули коррекции коэффициента мощности и ШИМ-инверторы частотно-регулируемых электроприводов.


 

NCE60TD60BT Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм120A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 107,50 ₴