Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор NCE40TD60BT, Оригинал! 40A/80A, 600V, IGBT, NCE40TD60BP TO-247, фото 2
Транзистор NCE40TD60BT, Оригинал! 40A/80A, 600V, IGBT, NCE40TD60BP TO-247, фото 3
Транзистор NCE40TD60BT, Оригинал! 40A/80A, 600V, IGBT, NCE40TD60BP TO-247, фото 4
Транзистор NCE40TD60BT, Оригинал! 40A/80A, 600V, IGBT, NCE40TD60BP TO-247, фото 5

Транзистор NCE40TD60BT, Оригинал! 40A/80A, 600V, IGBT, NCE40TD60BP TO-247

115 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 466
Транзистор NCE40TD60BT, Оригинал! 40A/80A, 600V, IGBT, NCE40TD60BP TO-247
Транзистор NCE40TD60BT, Оригинал! 40A/80A, 600V, IGBT, NCE40TD60BP TO-247Готово к отправке
115 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

 NCE40TD60BT Оригинал. NCE40TD60BP 

IGBT-транзистор NCE40TD60BT

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
  • Технологичная база: Trench FS II Technology (Trench Field Stop II)
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (коротковременно в импульсе до ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 288 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.70 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 1.90 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~115 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~2300 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~95 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~111 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.85 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 40А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~85 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.44 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 2.12 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой скоростной коммутационный ключ средней мощности для инверторных систем, частотных приводов и ИБП.
  • Совместимые устройства: Инверторные сварочные аппараты (MMA/TIG), источники бесперебойного питания, стабилизаторы, портативные бензиновые и дизельные инверторные генераторы.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности и ШИМ-регуляторы управления электроприводами климатической техники.

 

NCE40TD60BT Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм80A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 115 ₴