Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор CRJF140N65G2F Оригинал!!! 24A/15A, 650V, MOSFET, to-220f, фото 2
Транзистор CRJF140N65G2F Оригинал!!! 24A/15A, 650V, MOSFET, to-220f, фото 3
Транзистор CRJF140N65G2F Оригинал!!! 24A/15A, 650V, MOSFET, to-220f, фото 4

Транзистор CRJF140N65G2F Оригинал!!! 24A/15A, 650V, MOSFET, to-220f

82 ₴

58,22 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 411
Транзистор CRJF140N65G2F Оригинал!!! 24A/15A, 650V, MOSFET, to-220f
Транзистор CRJF140N65G2F Оригинал!!! 24A/15A, 650V, MOSFET, to-220fГотово к отправке
82 ₴58,22 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Технические характеристики MOSFET-транзистора CRJF140N65G2F

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: CR Micro China Resources Microelectronics
  • Технологичная база: CRM CQ Super_Junction Technology SJMOS
  • Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
  • Выполнение корпуса: TO-220F полностью изолирован пластиковый корпус

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±30 В
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 22...24 А
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 14...15 А
  • Тест на лавинную пробу: 100% Avalanche Tested
  • Тест устойчивости напряжения: 100% DVDS Tested

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 110 мОм 0.11 Ом при напряжении затвора 10 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 3.4 В
  • Энергетическая эффективность: низкий презентабель FOM Figure of Merit для высокой скорости коммутации
  • Сопротивление открытого состояния: значительно понижен Ron*A для повышения КПД в статичном режиме

Параметры встроенного защитного диода:

  • Особенности диода: интегрированный сверхскоростной внутренний диодный каскад Ultra-fast body diode для стабильной импульсной работы
  • Максимальный ток диода: адаптирован под предельные рабочие токи транзистора

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: ~6.23 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-наклюшающая среда Rthja: 64 °C/Вт
  • Термическая стабильность: оптимизировано для работы при значительных коммутационных нагрузках и повышенных температурах кристалла

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой коммутационный ключ для зарядных станций EcoFlow, Bluetti и аналоги, где используется в инверторных модулях и платах управления.
  • Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания ИБП / UPS, микроинверторы солнечных и восстанавливаемых энергосистем.
  • Системы управления: Высоковольтные импульсные блоки питания SMPS, DC-DC и DC-AC силовики, цепи питания светодиодного освещения LED LCD PDP TV и мониторов.

CRJF140N65G2F Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительСинтекс
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+650V
КОРПУСTO-220F
Максимальний струм24A
Тип транзистораMOSFET
Информация для заказа
  • Цена: 58,22 ₴